数据列表：BSB056N10NN3 G

标准包装：5,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Ta），83A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：74nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5500pF @ 50V

功率 - 最大值：78W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-WDSON

供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?

其它名称：BSB056N10NN3 G-NDBSB056N10NN3GBSB056N10NN3GXUMA1SP000604540